-
ตัวปรับความเข้มแสงอิเล็กโทรออปติก Rof ฟิล์มบางลิเธียมไนโอเบต ตัวปรับสัญญาณ 25G TFLN
ตัวปรับสัญญาณ 25G TFLN หรือตัวปรับความเข้มแสงลิเธียมไนโอเบตแบบฟิล์มบาง เป็นอุปกรณ์แปลงสัญญาณไฟฟ้าเป็นแสงประสิทธิภาพสูง ซึ่งพัฒนาขึ้นโดยบริษัทของเราเองและมีสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญาอย่างสมบูรณ์ ผลิตภัณฑ์นี้บรรจุด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมต่อที่มีความแม่นยำสูงเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพการแปลงสัญญาณไฟฟ้าเป็นแสงที่สูงมาก เมื่อเทียบกับตัวปรับสัญญาณผลึกลิเธียมไนโอเบตแบบดั้งเดิม ผลิตภัณฑ์นี้มีคุณสมบัติเด่นคือ แรงดันครึ่งคลื่นต่ำ ความเสถียรสูง ขนาดอุปกรณ์เล็ก และการควบคุมไบแอสด้วยความร้อนและแสง จึงสามารถนำไปใช้ได้อย่างกว้างขวางในด้านการสื่อสารด้วยแสงดิจิทัล โฟโตนิกส์ไมโครเวฟ เครือข่ายการสื่อสารหลัก และโครงการวิจัยด้านการสื่อสาร
-
เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ Rof 1550 นาโนเมตร โมดูลเลเซอร์รักษาเสถียรภาพความถี่ที่มีความกว้างของเส้นสเปกตรัมแคบ
โมดูลเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบเส้นสเปกตรัมแคบซีรีส์ไมโครซอร์สโฟตอน มีความกว้างของเส้นสเปกตรัมแคบมาก สัญญาณรบกวน RIN ต่ำมาก เสถียรภาพความถี่และความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม จึงถูกนำไปใช้อย่างกว้างขวางในระบบตรวจจับและตรวจวัดด้วยใยแก้วนำแสง (DTS, DVS, DAS เป็นต้น)
-
โมดูลตรวจจับแสงแบบโฟโตดีเทคเตอร์ APD/PIN ซีรีส์ Rof-QPD โมดูลตรวจจับแสงแบบโฟโตอิเล็กทริกสี่ควอดแรนต์ โฟโตดีเทคเตอร์ 4 ควอดแรนต์
โมดูลตรวจจับแสงแบบสี่ควอดแรนต์ซีรีส์ ROF-QPD ใช้โฟโตไดโอดแบบสี่ควอดแรนต์ที่นำเข้า และได้รับการออกแบบเป็นพิเศษด้วยวงจรขับและวงจรขยายสัญญาณรบกวนต่ำ โดยส่วนใหญ่ใช้สำหรับการวัดตำแหน่งลำแสงและการวัดมุมที่แม่นยำ ด้วยช่วงความยาวคลื่นตอบสนองครอบคลุม 400-1700 นาโนเมตร (400-1100 นาโนเมตร / 800-1700 นาโนเมตร) นอกจากนี้ยังใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านต่างๆ เช่น การปรับแนวลำแสงเลเซอร์/การสื่อสารด้วยเลเซอร์ และการนำทางด้วยเลเซอร์
-
ตัวปรับสัญญาณแสงอิเล็กโทรออปติก Rof 1064nm ตัวปรับสัญญาณ Eo ตัวปรับสัญญาณเฟส LiNbO3 2G
ตัวปรับเฟส LiNbO3 ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบสื่อสารด้วยแสงความเร็วสูง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และระบบ ROF เนื่องจากมีผลทางไฟฟ้าและแสงที่ดี ซีรี่ส์ R-PM ที่ใช้เทคโนโลยีการแพร่กระจาย Ti และ APE มีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่ในการทดลองในห้องปฏิบัติการและระบบอุตสาหกรรมได้
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof ตัวปรับสัญญาณ Eo ตัวปรับสัญญาณเฟส LiNbO3 300MHz 1064nm
ตัวปรับเฟส LiNbO3 ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบสื่อสารด้วยแสงความเร็วสูง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และระบบ ROF เนื่องจากมีผลทางไฟฟ้าและแสงที่ดี ซีรี่ส์ R-PM ที่ใช้เทคโนโลยีการแพร่กระจาย Ti และ APE มีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่ในการทดลองในห้องปฏิบัติการและระบบอุตสาหกรรมได้
-
ตัวปรับสัญญาณแสง Rof 780nm ตัวปรับเฟสอิเล็กโทรออปติก 10G ตัวปรับสัญญาณ EO
ตัวปรับเฟสแบบอิเล็กโทรออปติกชนิดลิเธียมไนโอเบต ROF-PM ซีรีส์ 780 นาโนเมตร ใช้เทคโนโลยีการแลกเปลี่ยนโปรตอนขั้นสูง มีคุณสมบัติเด่นคือ การสูญเสียการแทรกต่ำ แบนด์วิดท์การปรับสัญญาณสูง แรงดันครึ่งคลื่นต่ำ และอื่นๆ โดยส่วนใหญ่ใช้ในระบบสื่อสารด้วยแสงในอวกาศ การอ้างอิงเวลาอะตอมซีเซียม การขยายสเปกตรัม อินเตอร์เฟอโรเมตรี และสาขาอื่นๆ
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof 850nm ตัวปรับเฟส 10G
ตัวปรับเฟส LiNbO3 ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบสื่อสารด้วยแสงความเร็วสูง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และระบบ ROF เนื่องจากมีผลทางไฟฟ้าและแสงที่ดี ซีรี่ส์ R-PM ที่ใช้เทคโนโลยีการแพร่กระจาย Ti และ APE มีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่ในการทดลองในห้องปฏิบัติการและระบบอุตสาหกรรมได้
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof 1550nm ตัวปรับเฟส 10G linbo3 ตัวปรับสัญญาณ
ตัวปรับเฟส LiNbO3 (ตัวปรับเฟส LiNbO3) ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบสื่อสารด้วยแสงความเร็วสูง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และระบบ ROF เนื่องจากมีผลทางไฟฟ้าและแสงที่ดี ซีรี่ส์ R-PM ที่ใช้เทคโนโลยีการแพร่กระจาย Ti และ APE มีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่ในการทดลองในห้องปฏิบัติการและระบบอุตสาหกรรมได้
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof 1550nm ตัวปรับเฟส 40G ลิเธียมไนโอเบต
ตัวปรับเฟสแสงไฟฟ้าลิเธียมไนโอเบต (ตัวปรับเฟสลิเธียมไนโอเบต) ที่ใช้กระบวนการแพร่ของไทเทเนียม มีคุณสมบัติเด่นคือ การสูญเสียการแทรกต่ำ แบนด์วิดท์การปรับเฟสสูง แรงดันครึ่งคลื่นต่ำ กำลังแสงที่ก่อให้เกิดความเสียหายสูง เป็นต้น โดยส่วนใหญ่ใช้ในด้านการควบคุมการเปลี่ยนแปลงความถี่แสงในระบบสื่อสารแสงความเร็วสูง การเปลี่ยนเฟสในระบบสื่อสารแบบโคherent การสร้างแถบข้างในระบบ ROF และการลดการกระเจิงบริลลูอินแบบกระตุ้น (SBS) ในระบบสื่อสารใยแก้วนำแสงแบบอนาล็อก
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof 1064nm ตัวปรับสัญญาณ Eo ตัวปรับเฟส 10G
ตัวปรับเฟส LiNbO3 ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบสื่อสารด้วยแสงความเร็วสูง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และระบบ ROF เนื่องจากมีผลทางไฟฟ้าและแสงที่ดี ซีรี่ส์ R-PM ใช้พื้นฐานจากการแพร่กระจาย Ti และ APE
เทคโนโลยีนี้มีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่ในการทดลองในห้องปฏิบัติการและระบบอุตสาหกรรมได้
-
ตัวปรับสัญญาณ ROF EOM ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก ตัวปรับเฟสแรงดันต่ำ Vpi
ตัวปรับเฟสแบบ Low-Vpi ซีรีส์ ROF-PM-UV มีแรงดันครึ่งคลื่นต่ำ (2.5V) การสูญเสียการแทรกต่ำ แบนด์วิดท์สูง คุณลักษณะการทำลายพลังงานแสงสูง และชิปในระบบสื่อสารใยแก้วนำแสงความเร็วสูง โดยส่วนใหญ่ใช้สำหรับการควบคุมแสง การเปลี่ยนเฟสของระบบสื่อสารแบบโคherent ระบบ ROF แบบไซด์แบนด์ และลดการจำลองของระบบสื่อสารใยแก้วนำแสงในระบบกระจายแสงแบบกระตุ้นลึก (SBS) ของบริสเบน เป็นต้น
-
ตัวปรับสัญญาณอิเล็กโทรออปติก Rof LiNbO3 MIOC ซีรีส์ Y-Waveguide Modulator
ตัวปรับสัญญาณคลื่นแสงแบบ Y-Waveguide รุ่น R-MIOC เป็นวงจรแสงแบบรวมอเนกประสงค์ (LiNbO3 MIOC) ที่ใช้วัสดุ LiNbO3 โดยใช้เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งสามารถทำหน้าที่เป็นตัวกรองโพลาไรซ์และตัววิเคราะห์แสง การแยกและการรวมลำแสง การปรับเฟส และฟังก์ชันอื่นๆ ท่อนำคลื่นและอิเล็กโทรดถูกผลิตขึ้นบนชิป LiNbO3 เส้นใยนำแสงขาเข้าและขาออกถูกเชื่อมต่อกับท่อนำคลื่นอย่างแม่นยำ จากนั้นชิปทั้งหมดจะถูกห่อหุ้มด้วยตัวเรือน Kovar ชุบทองเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่ดีและความน่าเชื่อถือสูง
